IPD80P03P4L07ATMA2
| Номер детали производителя | IPD80P03P4L07ATMA2 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31 |
| Упаковка | PG-TO252-3-11 |
| В наличии | 114150 pcs |
| Техническая спецификация | Mult Dev Assem/DS Rev 4/Oct/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.73 | $0.658 | $0.528 | $0.434 | $0.36 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 114150 Infineon Technologies IPD80P03P4L07ATMA2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
| Vgs (макс.) | +5V, -16V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3-11 |
| Серии | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 80A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 88W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5700 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 80A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPD80P03 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD80N04S306BATMA1
MOSFET N-CHANNEL_30/40VInfineon Technologies -
IPD80R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO252Infineon Technologies -
IPD80N04S3-06
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD80R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K0CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD78CN10NG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
IPD80P03P4L07ATMA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4P7
800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET,Infineon Technologies -
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252Infineon Technologies -
IPD78CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80N04S306ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD78CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD800N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 16A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD75N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R2K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3Infineon Technologies