IPD900P06NMATMA1
Номер детали производителя | IPD900P06NMATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252 |
Упаковка | PG-TO252-3-313 |
В наличии | 162178 pcs |
Техническая спецификация | OptiMOS Dev A/T Add 3/Feb/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.461 | $0.412 | $0.321 | $0.265 | $0.209 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 162178 Infineon Technologies IPD900P06NMATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 710µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3-313 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 16.4A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 63W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1100 pF @ 30 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
Тип FET | P-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 16.4A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPD90 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD90N04S3H4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S405ATMA1
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R900P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252Infineon Technologies -
IPD80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R4K5P7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORInfineon Technologies -
IPD85P04P4L06ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R900P7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORInfineon Technologies -
IPD85P04P4L06ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S40-4ATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD90N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P407ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S3-04
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD90N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S304ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P407ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3Infineon Technologies