Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD64CN10N G
IPD64CN10N G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPD64CN10N G

Номер детали производителя IPD64CN10N G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
Упаковка PG-TO252-3
В наличии 4739 pcs
Техническая спецификация IPD,IPU64CN10N GPart Number Guide
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4739 Infineon Technologies IPD64CN10N G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 20µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 17A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 44W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 569 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 9 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 17A (Tc)
Базовый номер продукта IPD64C

Рекомендуемые продукты

IPD64CN10N G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IPD64CN10N G

Связанные детали для IPD64CN10N G