Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD650P06NMATMA1
IPD650P06NMATMA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPD650P06NMATMA1

Номер детали производителя IPD650P06NMATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Упаковка PG-TO252-3-313
В наличии 142504 pcs
Техническая спецификация OptiMOS Dev A/T Add 3/Feb/2022
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.598 $0.536 $0.431 $0.354 $0.293
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 142504 Infineon Technologies IPD650P06NMATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 1.04mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3-313
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 22A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 83W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1600 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 22A (Tc)
Базовый номер продукта IPD650

Рекомендуемые продукты

IPD650P06NMATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация