Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD65R600C6ATMA1
Infineon Technologies

IPD65R600C6ATMA1

Номер детали производителя IPD65R600C6ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание LOW POWER_LEGACY
Упаковка PG-TO252-3-313
В наличии 4862 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Devices EOL 31/Aug/2017
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4862 Infineon Technologies IPD65R600C6ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3-313
Серии CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 63W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 440 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 7.3A (Tc)
Базовый номер продукта IPD65R

Рекомендуемые продукты

IPD65R600C6ATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IPD65R600C6ATMA1

Связанные детали для IPD65R600C6ATMA1