Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD60R750E6ATMA1
Infineon Technologies

IPD60R750E6ATMA1

Номер детали производителя IPD60R750E6ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IPD60R750 - 600V COOLMOS N-CHANN
Упаковка PG-TO252-3
В наличии 3799 pcs
Техническая спецификация Datasheet
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 3799 Infineon Technologies IPD60R750E6ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 170µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3
Серии CoolMOS™ E6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 48W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 373 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 17.2 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.7A (Tc)
Базовый номер продукта IPD60R

Рекомендуемые продукты

IPD60R750E6ATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IPD60R750E6ATMA1

Связанные детали для IPD60R750E6ATMA1