IPD65R380E6
| Номер детали производителя | IPD65R380E6 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 |
| Упаковка | PG-TO252-3-313 |
| В наличии | 118750 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 283 |
|---|
| $0.394 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 118750 Infineon Technologies IPD65R380E6 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3-313 |
| Серии | CoolMOS™ E6 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 83W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 710 pF @ 100 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10.6A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
IPD65R250E6
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD65R225C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R380E6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R400CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R420CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO251-3Infineon Technologies -
IPD65R420CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R380E6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R600E6
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD65R1K4CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R600C6ATMA1
LOW POWER_LEGACYInfineon Technologies -
IPD65R380C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R600C6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R1K4CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R380C6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R420CFDBTMA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R1K4CFDBTMA1
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R250E6XTMA1
MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R250C6XTMA1
MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R420CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3Infineon Technologies