Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD60R650CEBTMA1
IPD60R650CEBTMA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPD60R650CEBTMA1

Номер детали производителя IPD60R650CEBTMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
Упаковка PG-TO252-3
В наличии 5730 pcs
Техническая спецификация Part Number Guide
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5730 Infineon Technologies IPD60R650CEBTMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3
Серии CoolMOS™ CE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 2.4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 82W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 440 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 20.5 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 7A (Tc)
Базовый номер продукта IPD60R

Рекомендуемые продукты

IPD60R650CEBTMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IPD60R650CEBTMA1

Связанные детали для IPD60R650CEBTMA1