IPD50N04S4L08ATMA1
Номер детали производителя | IPD50N04S4L08ATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 |
Упаковка | PG-TO252-3-313 |
В наличии | 216425 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.471 | $0.421 | $0.328 | $0.271 | $0.214 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 216425 Infineon Technologies IPD50N04S4L08ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 17µA |
Vgs (макс.) | +20V, -16V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3-313 |
Серии | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3mOhm @ 50A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 46W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2340 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPD50 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD50N06S2-14
IPD50N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPD50N03S2L06ATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD50N04S410ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313Infineon Technologies -
IPD50N06S409ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD50N06S2L13ATMA2
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD50N06S3L-08
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD50N06S214ATMA2
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD50N04S4-08
IPD50N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPD50N04S308ATMA1-INF
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD50N06S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N06S214ATMA1
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N06S3L-06
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD50N04S308ATMA1
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInternational Rectifier -
IPD50N04S408ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N04S309ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N03S207ATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N03S4L06ATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD50N06S2L13ATMA1
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N03S2-07
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD50N06S409ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies