IPD12CN10NGATMA1
| Номер детали производителя | IPD12CN10NGATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 |
| Упаковка | PG-TO252-3 |
| В наличии | 80866 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.974 | $0.875 | $0.703 | $0.578 | $0.479 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 80866 Infineon Technologies IPD12CN10NGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 67A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 125W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4320 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 67A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPD12CN10 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD135N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3Infineon Technologies -
IPD127N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD130N10NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3Infineon Technologies -
IPD12CN10NG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD12CN10N
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD11T1NGR5M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD122N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3Infineon Technologies -
IPD135N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3Infineon Technologies -
IPD11T1NGR40M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD12N03LB G
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD135N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD135N03LGXT
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD11T1NGR7M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD12CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3Infineon Technologies -
IPD135N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD11T1NGR30M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD122N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3Infineon Technologies -
IPD135N03LGBTMA1
LV POWER MOSInfineon Technologies -
IPD126N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies