IPD135N08N3GATMA1
Номер детали производителя | IPD135N08N3GATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 |
Упаковка | PG-TO252-3 |
В наличии | 184627 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.502 | $0.448 | $0.349 | $0.288 | $0.228 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 184627 Infineon Technologies IPD135N08N3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 45A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 79W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1730 pF @ 40 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 80 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 45A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPD135 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD14T1NGR15M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD12CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3Infineon Technologies -
IPD135N03LGBTMA1
LV POWER MOSInfineon Technologies -
IPD135N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD14N06S280ATMA1
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3Infineon Technologies -
IPD14T1NGR1M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD14N06S2-80
IPD14N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPD144N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD135N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3Infineon Technologies -
IPD12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3Infineon Technologies -
IPD135N03LGXT
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD14N06S280ATMA2
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31Infineon Technologies -
IPD12CN10NG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD130N10NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD12CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3Infineon Technologies -
IPD135N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD12N03LB G
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD14T1NGR25M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD14T1NGR20M
CONNECTORPanduit Corp