Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD14N06S280ATMA2
IPD14N06S280ATMA2 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPD14N06S280ATMA2

Номер детали производителя IPD14N06S280ATMA2
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Упаковка PG-TO252-3-11
В наличии 238847 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.327 $0.293 $0.228 $0.189 $0.149
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 238847 Infineon Technologies IPD14N06S280ATMA2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 14µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3-11
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 47W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 293 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 17A (Tc)
Базовый номер продукта IPD14N06

Рекомендуемые продукты

IPD14N06S280ATMA2 DataSheet PDF

Техническая спецификация