IPD122N10N3GBTMA1
Номер детали производителя | IPD122N10N3GBTMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 |
Упаковка | PG-TO252-3 |
В наличии | 6679 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015Mult Dev EOL 20/Oct/2015 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6679 Infineon Technologies IPD122N10N3GBTMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.2mOhm @ 46A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 94W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2500 pF @ 50 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 59A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPD122N |
Рекомендуемые продукты
-
IPD11T1NGR1M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD127N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3Infineon Technologies -
IPD12CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3Infineon Technologies -
IPD135N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD11T1NGR5M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD12CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3Infineon Technologies -
IPD11T1NGR7M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD122N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3Infineon Technologies -
IPD11T1NGR40M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD126N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPD130N10NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD11T1NGR15M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD12CN10NG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD11T1NGR25M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD11T1NGR30M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD12N03LB G
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD11T1NGR20M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD11T1NGR2M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD12CN10N
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies