Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD12CN10NG
Infineon Technologies

IPD12CN10NG

Номер детали производителя IPD12CN10NG
производитель Infineon Technologies
Подробное описание OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка PG-TO252-3-313
В наличии 3967 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 3967 Infineon Technologies IPD12CN10NG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 83µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3-313
Серии OptiMOS™ 2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 67A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 125W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4320 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 67A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IPD12CN10NG DataSheet PDF

Ключевые слова для IPD12CN10NG

Связанные детали для IPD12CN10NG