Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD100N04S4L02ATMA1
Infineon Technologies

IPD100N04S4L02ATMA1

Номер детали производителя IPD100N04S4L02ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Упаковка PG-TO252-3-313
В наличии 72111 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$1.1 $0.988 $0.794 $0.653 $0.541
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 72111 Infineon Technologies IPD100N04S4L02ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 95µA
Vgs (макс.) +20V, -16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3-313
Серии Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 150W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 12800 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 156 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tc)
Базовый номер продукта IPD100

Рекомендуемые продукты

IPD100N04S4L02ATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация