IPD100N04S4L02ATMA1
Номер детали производителя | IPD100N04S4L02ATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CHANNEL_30/40V |
Упаковка | PG-TO252-3-313 |
В наличии | 72111 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$1.1 | $0.988 | $0.794 | $0.653 | $0.541 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 72111 Infineon Technologies IPD100N04S4L02ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 95µA |
Vgs (макс.) | +20V, -16V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3-313 |
Серии | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 150W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 12800 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 156 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 100A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPD100 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD1-25-D-P-M
CONN RCPT HSG 50POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD11DP10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO252-3Infineon Technologies -
IPD1-25-S-K-M
CONN RCPT HSG 25POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD105N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3Infineon Technologies -
IPD105N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3Infineon Technologies -
IPD1-25-S-K-R
CONN RCPT HSG 25POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD1-25-D-P
CONN RCPT HSG 50POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD1-25-S-R
CONN RCPT HSG 25POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD110N12N3GBUMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3Infineon Technologies -
IPD100N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3Infineon Technologies -
IPD100N06S403ATMA2
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11Infineon Technologies -
IPD1-25-D-R
CONN RCPT HSG 50POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD1-25-D-M
CONN RCPT HSG 50POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD100N06S403ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11Infineon Technologies -
IPD11T1NGR15M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD10N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD110N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3Infineon Technologies -
IPD1-25-S
CONN RCPT HSG 25POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD10N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD1-25-S-K
CONN RCPT HSG 25POS 2.54MMSamtec Inc.