IPB144N12N3GATMA1
Номер детали производителя | IPB144N12N3GATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK |
Упаковка | PG-TO263-3 |
В наличии | 82314 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$0.825 | $0.74 | $0.595 | $0.489 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 82314 Infineon Technologies IPB144N12N3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.4mOhm @ 56A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 107W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3220 pF @ 60 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 120 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 56A (Ta) |
Базовый номер продукта | IPB144 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB160N04S203ATMA4
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7Infineon Technologies -
IPB160N04S203ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7Infineon Technologies -
IPB13N03LB G
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAKInfineon Technologies -
IPB160N04S3H2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7Infineon Technologies -
IPB136N08N3GATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB14N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3Infineon Technologies -
IPB14N03LAT
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3Infineon Technologies -
IPB12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A D2PAKInfineon Technologies -
IPB14N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3Infineon Technologies -
IPB160N04S2L03ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7Infineon Technologies -
IPB13N03LBG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB147N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A D2PAKInfineon Technologies -
IPB13N03LB
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAKInfineon Technologies -
IPB160N04S2L03ATMA2
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7Infineon Technologies -
IPB12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A D2PAKInfineon Technologies -
IPB12CN10NGATMA2
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3Infineon Technologies -
IPB136N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 45A D2PAKInfineon Technologies -
IPB123N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAKInfineon Technologies -
IPB140N08S404ATMA1
MOSFET N-CH 80V 140A TO263-7Infineon Technologies -
IPB156N22NFDATMA1
MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3Infineon Technologies