IPB022N04LGATMA1
| Номер детали производителя | IPB022N04LGATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK |
| Упаковка | PG-TO263-3 |
| В наличии | 6833 pcs |
| Техническая спецификация | IPB022N04L GPart Number GuideMultiple Devices 26/Jul/2012 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6833 Infineon Technologies IPB022N04LGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 95µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 90A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 167W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 13000 pF @ 20 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 166 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 90A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPB022N |
Рекомендуемые продукты
-
IPB020NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB019N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB023N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAKInfineon Technologies -
IPB024N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3Infineon Technologies -
IPB025N08N3 G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB021N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB020N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB023N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7Infineon Technologies -
IPB025N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB025N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB021N06N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB022N04LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB023N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPB023N04NG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB020N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB024N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB020NE7N3G
IPB020NE7 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPB024N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB020N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7Infineon Technologies