IPB031NE7N3GATMA1
| Номер детали производителя | IPB031NE7N3GATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 |
| Упаковка | PG-TO263-3-2 |
| В наличии | 4654 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev EOL 23/Sep/2022Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4654 Infineon Technologies IPB031NE7N3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.8V @ 155µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3-2 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 100A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 214W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 8130 pF @ 37.5 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 75 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 100A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPB031 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB035N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB029N06N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB034N06N3GATMA2
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPB033N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3Infineon Technologies -
IPB026N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB031NE7N3 G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB034N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB029N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB027N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB036N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB035N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB034N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7Infineon Technologies -
IPB029N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPB031N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB030N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7Infineon Technologies -
IPB032N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7Infineon Technologies -
IPB031NE7N3G
IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPB027N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB034N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAKInfineon Technologies -
IPB034N06N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies