IPB017N10N5LFATMA1
| Номер детали производителя | IPB017N10N5LFATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 |
| Упаковка | PG-TO263-7 |
| В наличии | 17565 pcs |
| Техническая спецификация | Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 3/Nov/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $3.357 | $3.031 | $2.509 | $2.185 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 17565 Infineon Technologies IPB017N10N5LFATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4.1V @ 270µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-7 |
| Серии | OptiMOS™-5 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 313W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 840 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 180A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPB017 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB019N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB015N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB020N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7Infineon Technologies -
IPB018N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPB014N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB016N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB019N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB018N10N5ATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB016N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB015N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB019N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB017N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3Infineon Technologies -
IPB017N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB015N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB017N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB019N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB020N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB015N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPB020N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies