IPB018N06NF2SATMA1
Номер детали производителя | IPB018N06NF2SATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | TRENCH 40<-<100V |
Упаковка | PG-TO263-3 |
В наличии | 56201 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 |
---|---|---|
$0.805 | $0.723 | $0.581 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 56201 Infineon Technologies IPB018N06NF2SATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3.3V @ 129µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3 |
Серии | StrongIRFET™2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 100A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 3.8W (Ta), 188W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 7300 pF @ 30 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 162 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 34A (Ta), 187A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPB018 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB017N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB015N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3Infineon Technologies -
IPB016N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB019N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB019N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB020N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB015N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB019N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB018N10N5ATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB015N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB015N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPB019N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB020N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7Infineon Technologies -
IPB020NE7N3G
IPB020NE7 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPB017N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB016N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB020N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB017N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies