IPB024N08NF2SATMA1
Номер детали производителя | IPB024N08NF2SATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3 |
Упаковка | PG-TO263-3 |
В наличии | 37455 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 |
---|---|---|
$1.272 | $1.142 | $0.935 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 37455 Infineon Technologies IPB024N08NF2SATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3.8V @ 85µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3 |
Серии | StrongIRFET™ 2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 150W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 6200 pF @ 40 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 133 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 80 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 107A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPB024N |
Рекомендуемые продукты
-
IPB024N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB023N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7Infineon Technologies -
IPB022N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAKInfineon Technologies -
IPB025N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB025N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB021N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB022N04LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB021N06N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB026N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB027N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB029N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB023N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAKInfineon Technologies -
IPB023N04NG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB020NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB025N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB027N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB026N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB023N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPB025N08N3 G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB024N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies