IPB015N04LGATMA1
Номер детали производителя | IPB015N04LGATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK |
Упаковка | PG-TO263-3 |
В наличии | 36648 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$1.888 | $1.695 | $1.389 | $1.182 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 36648 Infineon Technologies IPB015N04LGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 200µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 100A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 250W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 28000 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 346 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 120A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPB015 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB011N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB016N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB017N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB018N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPB016N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB014N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB015N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB011N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB015N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB015N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB017N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB012N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPB011N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPB014N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPB017N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB010N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB009N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB018N10N5ATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB013N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies