IPB009N03LGATMA1
| Номер детали производителя | IPB009N03LGATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 |
| Упаковка | PG-TO263-7-3 |
| В наличии | 6518 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev EOL 23/Mar/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6518 Infineon Technologies IPB009N03LGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-7-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 100A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 250W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 25000 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 227 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 180A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPB009 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB011N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB014N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPB013N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPB011N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB015N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPB015N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB012N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPB015N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB015N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB018N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPB014N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB017N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB017N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB018N10N5ATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB011N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPB016N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB010N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB016N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB017N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7Infineon Technologies