Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > NXH200T120H3Q2F2SG
onsemi

NXH200T120H3Q2F2SG

Номер детали производителя NXH200T120H3Q2F2SG
производитель onsemi
Подробное описание 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE
Упаковка 56-PIM/Q2PACK (93x47)
В наличии 545 pcs
Техническая спецификация Postponed Qualification 27/Dec/2022Multi Dev 29/Sep/2022NXH200T120H3Q2F2SG, NXH200T120H3Q2F2STG
Справочная цена (В долларах США)
1 12 36
$84.596 $81.021 $79.234
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 545 onsemi NXH200T120H3Q2F2SG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.3V @ 15V, 200A
Поставщик Упаковка устройства 56-PIM/Q2PACK (93x47)
Серии -
Мощность - Макс 679 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
NTC термистора No
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 35.615 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500 µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 330 A
конфигурация Half Bridge

Рекомендуемые продукты

NXH200T120H3Q2F2SG DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NXH200T120H3Q2F2SG

Связанные детали для NXH200T120H3Q2F2SG