Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > NXH040P120MNF1PTG
onsemi

NXH040P120MNF1PTG

Номер детали производителя NXH040P120MNF1PTG
производитель onsemi
Подробное описание PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MO
Упаковка Module
В наличии 1207 pcs
Техническая спецификация NXH040P120MNF1PTG, NXH040P120MNF1PG
Справочная цена (В долларах США)
1 10 28 84
$37.734 $35.788 $34.814 $32.38
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 1207 onsemi NXH040P120MNF1PTG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.3V @ 10mA
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Поставщик Упаковка устройства -
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 25A, 20V
Мощность - Макс 74W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1505pF @ 800V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 122.1nC @ 20V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Source
Базовый номер продукта NXH040

Рекомендуемые продукты

NXH040P120MNF1PTG DataSheet PDF

Техническая спецификация