Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > NXH300B100H4Q2F2S1G
onsemi

NXH300B100H4Q2F2S1G

Номер детали производителя NXH300B100H4Q2F2S1G
производитель onsemi
Подробное описание PIM 1500V 250KW Q2BOOST
Упаковка 53-PIM/Q2PACK (93x47)
В наличии 604 pcs
Техническая спецификация Wafer Fab Change 27/Sep/2022Wafer Fab Change 27/Dec/2022
Справочная цена (В долларах США)
1 10 36
$71.043 $68.042 $66.54
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 604 onsemi NXH300B100H4Q2F2S1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1118 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.25V @ 15V, 100A
Поставщик Упаковка устройства 53-PIM/Q2PACK (93x47)
Серии -
Мощность - Макс 194 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
NTC термистора Yes
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 6.323 nF @ 20 V
вход Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 800 µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 73 A
конфигурация Dual, Common Source

Рекомендуемые продукты

NXH300B100H4Q2F2S1G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NXH300B100H4Q2F2S1G

Связанные детали для NXH300B100H4Q2F2S1G