Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > NXH020P120MNF1PG
onsemi

NXH020P120MNF1PG

Номер детали производителя NXH020P120MNF1PG
производитель onsemi
Подробное описание PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MO
Упаковка Module
В наличии 974 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1
$42.42
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 974 onsemi NXH020P120MNF1PG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.3V @ 20mA
Поставщик Упаковка устройства -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 50A, 20V
Мощность - Макс 119W (Tj)
Упаковка / Module
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Chassis Mount
Свойства продукта Значение атрибута
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2420pF @ 800V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 213.5nC @ 20V
Тип FET 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET Характеристика Silicon Carbide (SiC)
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 51A (Tc)

Рекомендуемые продукты

NXH020P120MNF1PG DataSheet PDF

Ключевые слова для NXH020P120MNF1PG

Связанные детали для NXH020P120MNF1PG