Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > NXH010P90MNF1PTG
onsemi

NXH010P90MNF1PTG

Номер детали производителя NXH010P90MNF1PTG
производитель onsemi
Подробное описание PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOH
Упаковка Module
В наличии 770 pcs
Техническая спецификация NXH010P90MNF1PTG, NXH010P90MNF1PG
Справочная цена (В долларах США)
1 10 28
$66.12 $63.327 $61.93
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 770 onsemi NXH010P90MNF1PTG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.3V @ 40mA
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Поставщик Упаковка устройства -
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 100A, 15V
Мощность - Макс 328W (Tj)
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 7007pF @ 450V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 546.4nC @ 15V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 900V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 154A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Source
Базовый номер продукта NXH010

Рекомендуемые продукты

NXH010P90MNF1PTG DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NXH010P90MNF1PTG

Связанные детали для NXH010P90MNF1PTG