Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > NXH010P120MNF1PTNG
onsemi

NXH010P120MNF1PTNG

Номер детали производителя NXH010P120MNF1PTNG
производитель onsemi
Подробное описание PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO
Упаковка Module
В наличии 529 pcs
Техническая спецификация NXH010P120MNF1P
Справочная цена (В долларах США)
1 10 28
$75.502 $72.312 $70.717
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 529 onsemi NXH010P120MNF1PTNG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.3V @ 40mA
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Поставщик Упаковка устройства -
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 100A, 20V
Мощность - Макс 250W (Tj)
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4707pF @ 800V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 454nC @ 20V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 114A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта NXH010

Рекомендуемые продукты

NXH010P120MNF1PTNG DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NXH010P120MNF1PTNG

Связанные детали для NXH010P120MNF1PTNG