Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIRS4302DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRS4302DP-T1-GE3

Номер детали производителя SIRS4302DP-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Упаковка PowerPAK® SO-8
В наличии 68756 pcs
Техническая спецификация SIRS4302DP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$1.042 $0.937 $0.753 $0.619 $0.513
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 68756 Vishay Siliconix SIRS4302DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (макс.) +20V, -16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.57mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 6.9W (Ta), 208W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SO-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 10150 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 230 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 87A (Ta), 478A (Tc)
Базовый номер продукта SIRS4302

Рекомендуемые продукты

SIRS4302DP-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIRS4302DP-T1-GE3

Связанные детали для SIRS4302DP-T1-GE3