SIRA96DP-T1-GE3
| Номер детали производителя | SIRA96DP-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8 |
| Упаковка | PowerPAK® SO-8 |
| В наличии | 510661 pcs |
| Техническая спецификация | SIRA96DP |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.184 | $0.156 | $0.116 | $0.091 | $0.071 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 510661 Vishay Siliconix SIRA96DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | +20V, -16V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 |
| Серии | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 10A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 34.7W (Tc) |
| Упаковка / | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1385 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 16A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SIRA96 |
Рекомендуемые продукты
-
SIRC06DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 32A/60A PPAK SO8Vishay Siliconix -
SIRA84DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRETTA DIN RAIL ADAPTER
DIN RAIL MOUNT CLIP, LATCH & SCRSiretta Ltd -
SIRB40DP-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8Vishay Siliconix -
SIRA90ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 71A/334A PPAKVishay Siliconix -
SIRA72DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRA90DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRAD EASY R4 BREAKOUT-BOARD
SIRAD_EASY_R4_BREAKOUT-BOARD (BOSilicon Radar GmbH -
SIRA99DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAKVishay Siliconix -
SIRA90DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRC16DP-T1-RE3
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SCVishay Siliconix -
SIRA80DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRC04DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRC10DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRA74DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAKVishay Siliconix -
SIRA88BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8Vishay Siliconix -
SIRA84BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 22A/70A PPAK SO8Vishay Siliconix -
SIRA88DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRC16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRC18DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix