SIRA88DP-T1-GE3
| Номер детали производителя | SIRA88DP-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8 |
| Упаковка | PowerPAK® SO-8 |
| В наличии | 443732 pcs |
| Техническая спецификация | New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SIRA88DP |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.19 | $0.163 | $0.121 | $0.095 | $0.074 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 443732 Vishay Siliconix SIRA88DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | +20V, -16V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 |
| Серии | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 10A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 25W (Tc) |
| Упаковка / | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 985 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 12.5 nC @ 4.5 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 45.5A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SIRA88 |
Рекомендуемые продукты
-
SIRC04DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRA90DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRA72DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRA80DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRA84BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 22A/70A PPAK SO8Vishay Siliconix -
SIRA99DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAKVishay Siliconix -
SIRB40DP-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8Vishay Siliconix -
SIRA90ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 71A/334A PPAKVishay Siliconix -
SIRA74DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAKVishay Siliconix -
SIRA84DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRAD EASY R4 BREAKOUT-BOARD
SIRAD_EASY_R4_BREAKOUT-BOARD (BOSilicon Radar GmbH -
SIRA96DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRA64DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRA88BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8Vishay Siliconix -
SIRC10DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRA62DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAKVishay Siliconix -
SIRA64DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRC06DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 32A/60A PPAK SO8Vishay Siliconix -
SIRA66DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRA90DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8Vishay Siliconix