Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SIRB40DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRB40DP-T1-GE3

Номер детали производителя SIRB40DP-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Упаковка PowerPAK® SO-8 Dual
В наличии 132062 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SIRB40DP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.577 $0.514 $0.401 $0.331 $0.262
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 132062 Vishay Siliconix SIRB40DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8 Dual
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.25mOhm @ 10A, 10V
Мощность - Макс 46.2W
Упаковка / PowerPAK® SO-8 Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4290pF @ 20V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 45nC @ 4.5V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 40A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SIRB40

Рекомендуемые продукты

SIRB40DP-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIRB40DP-T1-GE3

Связанные детали для SIRB40DP-T1-GE3