Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIRC04DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRC04DP-T1-GE3

Номер детали производителя SIRC04DP-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Упаковка PowerPAK® SO-8
В наличии 105731 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SIRC04DP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.663 $0.596 $0.479 $0.394 $0.326
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 105731 Vishay Siliconix SIRC04DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Vgs (макс.) +20V, -16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8
Серии TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.45mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 50W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SO-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2850 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика Schottky Diode (Body)
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 60A (Tc)
Базовый номер продукта SIRC04

Рекомендуемые продукты

SIRC04DP-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация