SIDR668DP-T1-RE3

Номер детали производителя	SIDR668DP-T1-RE3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Упаковка	PowerPAK® SO-8DC
В наличии	62048 pcs
Техническая спецификация	SIDR668DP

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$1.044	$0.936	$0.767	$0.653	$0.551

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 62048 Vishay Siliconix SIDR668DP-T1-RE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	3.4V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PowerPAK® SO-8DC
Серии	TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Упаковка /	PowerPAK® SO-8
Упаковка	Tape & Reel (TR)

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	5400 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	108 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	23.2A (Ta), 95A (Tc)