SIDR638DP-T1-GE3
| Номер детали производителя | SIDR638DP-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC |
| Упаковка | PowerPAK® SO-8DC |
| В наличии | 123427 pcs |
| Техническая спецификация | PowerPak® SO-8 OutlineSIDR638DP |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.768 | $0.69 | $0.554 | $0.455 | $0.377 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 123427 Vishay Siliconix SIDR638DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | +20V, -16V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8DC |
| Серии | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.88mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 125W (Tc) |
| Упаковка / | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 10500 pF @ 20 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 204 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 100A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SIDR638 |
Рекомендуемые продукты
-
SIDR622DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR668DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR622DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAKVishay Siliconix -
SIDR680DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAKVishay Siliconix -
SIDR680DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR610DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAKVishay Siliconix -
SIDR668ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAKVishay Siliconix -
SIDR610EP-T1-RE3
N-CHANNEL 200 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIDR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAKVishay Siliconix -
SIDR626EP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR626LEP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DCVishay Siliconix -
SIDR680ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAKVishay Siliconix -
SIDR626DP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR638DP-T1-RE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR610DP-T1-RE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDSP-SD1280-101M
FIXED IND 100UH SMD 2.4A 164MOHMSuntsu Electronics, Inc. -
SIDR668DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAKVishay Siliconix -
SIDR870ADP-T1-RE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR626DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAKVishay Siliconix