Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIDR104AEP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIDR104AEP-T1-RE3

Номер детали производителя SIDR104AEP-T1-RE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Упаковка PowerPAK® SO-8DC
В наличии 55464 pcs
Техническая спецификация SIDR104AEP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$1.251 $1.122 $0.919 $0.783 $0.66
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 55464 Vishay Siliconix SIDR104AEP-T1-RE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8DC
Серии TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.1mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 6.5W (Ta), 120W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SO-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3250 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 21.1A (Ta), 90.5A (Tc)

Рекомендуемые продукты

SIDR104AEP-T1-RE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIDR104AEP-T1-RE3

Связанные детали для SIDR104AEP-T1-RE3