Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIDR626LDP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIDR626LDP-T1-RE3

Номер детали производителя SIDR626LDP-T1-RE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Упаковка PowerPAK® SO-8DC
В наличии 69585 pcs
Техническая спецификация SiDR626LDP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$1.238 $1.113 $0.894 $0.735 $0.609
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 69585 Vishay Siliconix SIDR626LDP-T1-RE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8DC
Серии TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SO-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5900 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 135 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 45.6A (Ta), 2.4A (Tc)
Базовый номер продукта SIDR626

Рекомендуемые продукты

SIDR626LDP-T1-RE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIDR626LDP-T1-RE3

Связанные детали для SIDR626LDP-T1-RE3