SIDR220DP-T1-GE3
| Номер детали производителя | SIDR220DP-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK |
| Упаковка | PowerPAK® SO-8DC |
| В наличии | 76085 pcs |
| Техническая спецификация | SIDR220DPSIDR220DP |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $1.108 | $0.996 | $0.801 | $0.658 | $0.545 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 76085 Vishay Siliconix SIDR220DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | +16V, -12V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8DC |
| Серии | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Упаковка / | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1085 pF @ 10 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 25 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 87.7A (Ta), 100A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SIDR220 |
Рекомендуемые продукты
-
SIDR140DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAKVishay Siliconix -
SIDR402DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAKVishay Siliconix -
SIDMP-SP1040-2R2M
FIXED IND 2.2UH SMD 13.2A 8MOHMSuntsu Electronics, Inc. -
SIDR392DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAKVishay Siliconix -
SIDMP-SP1040-100M
FIXED IND 10UH SMD 6.9A 30MOHMSuntsu Electronics, Inc. -
SIDR402DP-T1-RE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR392DP-T1-RE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDMP-SP0740-100M
FIXED IND 10UH SMD 4.8A 65MOHMSuntsu Electronics, Inc. -
SIDR220EP-T1-RE3
N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDPC01Q
VIRTU SENSOR ULTRASONIC PROXIMITSchneider Electric -
SIDR140DP-T1-RE3
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR390DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAKVishay Siliconix -
SIDR390DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAKVishay Siliconix -
SIDR500EP-T1-RE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR402EP-T1-RE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR220DP-T1-RE3
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR170DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAKVishay Siliconix -
SIDR104AEP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIDR104ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAKVishay Siliconix -
SIDMP-SP1040-220M
FIXED IND 20UH SMD 4.7A 66MOHMSuntsu Electronics, Inc.