Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI7621DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7621DN-T1-GE3

Номер детали производителя SI7621DN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 20V 4A PPAK1212-8
Упаковка PowerPAK® 1212-8
В наличии 6521 pcs
Техническая спецификация PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013SI7621DN
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 6521 Vishay Siliconix SI7621DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.9A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.1W (Ta), 12.5W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 300 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 6.2 nC @ 5 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Tc)
Базовый номер продукта SI7621

Рекомендуемые продукты

SI7621DN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI7621DN-T1-GE3

Связанные детали для SI7621DN-T1-GE3

Loading...