Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI7540DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7540DP-T1-GE3

Номер детали производителя SI7540DP-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Упаковка PowerPAK® SO-8 Dual
В наличии 6647 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023SIL-0392016 16/Dec/2016Si7540DP
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 6647 Vishay Siliconix SI7540DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8 Dual
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Мощность - Макс 1.4W
Упаковка / PowerPAK® SO-8 Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds -
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 17nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 7.6A, 5.7A
конфигурация N and P-Channel
Базовый номер продукта SI7540

Рекомендуемые продукты

SI7540DP-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Loading...