Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI7501DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7501DN-T1-GE3

Номер детали производителя SI7501DN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Упаковка PowerPAK® 1212-8 Dual
В наличии 5726 pcs
Техническая спецификация Obs 29/Dec/2015Si7501DN
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5726 Vishay Siliconix SI7501DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8 Dual
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 7.7A, 10V
Мощность - Макс 1.6W
Упаковка / PowerPAK® 1212-8 Dual
Упаковка Cut Tape (CT)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds -
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.4A, 4.5A
конфигурация N and P-Channel, Common Drain
Базовый номер продукта SI7501

Рекомендуемые продукты

SI7501DN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI7501DN-T1-GE3

Связанные детали для SI7501DN-T1-GE3