Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI7615BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7615BDN-T1-GE3

Номер детали производителя SI7615BDN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK
Упаковка PowerPAK® 1212-8
В наличии 5225 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5225 Vishay Siliconix SI7615BDN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 5.2W (Ta), 66W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4890 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 155 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 29A (Ta), 104A (Tc)

Рекомендуемые продукты

SI7615BDN-T1-GE3 DataSheet PDF

Ключевые слова для SI7615BDN-T1-GE3

Связанные детали для SI7615BDN-T1-GE3