Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI7611DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7611DN-T1-GE3

Номер детали производителя SI7611DN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Упаковка PowerPAK® 1212-8
В наличии 121921 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023SI7611DN
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.613 $0.55 $0.442 $0.363 $0.301
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 121921 Vishay Siliconix SI7611DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 9.3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1980 pF @ 20 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 62 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18A (Tc)
Базовый номер продукта SI7611

Рекомендуемые продукты

SI7611DN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI7611DN-T1-GE3

Связанные детали для SI7611DN-T1-GE3