Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI4200DY-T1-GE3
SI4200DY-T1-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI4200DY-T1-GE3

Номер детали производителя SI4200DY-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Упаковка 8-SOIC
В наличии 5100 pcs
Техническая спецификация Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018SI4200DY-T1-GE3
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5100 Vishay Siliconix SI4200DY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.3A, 10V
Мощность - Макс 2.8W
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 415pF @ 13V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SI4200

Рекомендуемые продукты

SI4200DY-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI4200DY-T1-GE3

Связанные детали для SI4200DY-T1-GE3