Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI4190BDY-T1-GE3

Номер детали производителя	SI4190BDY-T1-GE3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-
Упаковка	8-SOIC
В наличии	100807 pcs
Техническая спецификация	SI4190BDY

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.834	$0.751	$0.604	$0.496	$0.411

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 100807 Vishay Siliconix SI4190BDY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	8-SOIC
Серии	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	3.8W (Ta), 8.4W (Tc)
Упаковка /	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	4150 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	12A (Ta), 17A (Tc)
Базовый номер продукта	SI4190