SI4178DY-T1-GE3
| Номер детали производителя | SI4178DY-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 30V 12A 8SO |
| Упаковка | 8-SOIC |
| В наличии | 436400 pcs |
| Техническая спецификация | New Solder Plating Site 18/Apr/2023SI4178DY |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.233 | $0.206 | $0.158 | $0.125 | $0.1 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 436400 Vishay Siliconix SI4178DY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±25V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 8-SOIC |
| Серии | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8.4A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
| Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 405 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SI4178 |
Рекомендуемые продукты
-
SI4200-GM
IC RF TXRX CELLULAR 32VFQFNSilicon Labs -
SI4186DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOVishay Siliconix -
SI4196DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 8SOVishay Siliconix -
SI4168DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A 8SOVishay Siliconix -
SI4176DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOVishay Siliconix -
SI4178DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOVishay Siliconix -
SI4176DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOVishay Siliconix -
SI4162DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOVishay Siliconix -
SI4200DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOICVishay Siliconix -
SI4174DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SOVishay Siliconix -
SI4196DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 8A 8SOVishay Siliconix -
SI4200-BM
IC RF TXRX CELLULAR 32VFQFNSilicon Labs -
SI4172DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOVishay Siliconix -
SI4166DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SOVishay Siliconix -
SI4190BDY-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-Vishay Siliconix -
SI4170DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SOVishay Siliconix -
SI4164DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SOVishay Siliconix -
SI4190ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SOVishay Siliconix -
SI4200-EVB
BOARD EVAL FOR SI4200Silicon Labs -
SI4190DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOICVishay Siliconix