Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI4196DY-T1-GE3

Номер детали производителя	SI4196DY-T1-GE3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	MOSFET N-CH 20V 8A 8SO
Упаковка	8-SOIC
В наличии	4178 pcs
Техническая спецификация	SI4196DY

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 4178 Vishay Siliconix SI4196DY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (макс.)	±8V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	8-SOIC
Серии	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27mOhm @ 8A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)	2W (Ta), 4.6W (Tc)
Упаковка /	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	830 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	22 nC @ 8 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	8A (Tc)
Базовый номер продукта	SI4196