Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI4156DY-T1-GE3
SI4156DY-T1-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI4156DY-T1-GE3

Номер детали производителя SI4156DY-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Упаковка 8-SOIC
В наличии 198131 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SI4156DY
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.376 $0.335 $0.261 $0.216 $0.17
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 198131 Vishay Siliconix SI4156DY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15.7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1700 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 24A (Tc)
Базовый номер продукта SI4156

Рекомендуемые продукты

SI4156DY-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация