Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK1R4S04PB,LXHQ
TK1R4S04PB,LXHQ Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

TK1R4S04PB,LXHQ

Номер детали производителя TK1R4S04PB,LXHQ
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Упаковка DPAK+
В наличии 124964 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.711 $0.639 $0.514 $0.422 $0.35
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 124964 Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4S04PB,LXHQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 500µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DPAK+
Серии U-MOSIX-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 60A, 6V
Рассеиваемая мощность (макс) 180W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 175°C
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5500 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 103 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 120A (Ta)
Базовый номер продукта TK1R4S04

Рекомендуемые продукты

TK1R4S04PB,LXHQ DataSheet PDF